Компания Samsung планирует выпустить флэш-память NAND нового поколения, которая имеет до 430 слоев. Первым на рынок выйдет 9-е поколение с 290 слоями, а затем в следующем году будет представлено 10-е поколение с 430 слоями. Компания стремится поднять индустрию флэш-памяти NAND на новый уровень, предлагая более высокотехнологичные решения.

Samsung смогла достичь такого количества слоев благодаря технологии двойного укладывания, которая позволяет увеличить эффективность межсоединений и снизить затраты по сравнению с традиционными методами укладки. Использование продуктов NAND значительно возросло в последнее время, особенно в области искусственного интеллекта, где требуется большое количество высокоскоростной памяти.

Планируемый выпуск новых поколений флэш-памяти NAND говорит о разрастающейся конкуренции в этой области. Samsung находится впереди своих конкурентов, включая SK Hynix и Kioxia, и предлагает продукты с большим количеством слоев, что устанавливает новые стандарты на рынке.