Компания Samsung во вторник в Южной Корее анонсировала начало промышленного производства нового вида памяти для смартфонов. В составе одного корпуса будут объединены оперативная память DRAM LPDDR5 и быстрая флеш-память UFS 3.1 NAND. За счёт этой интеграции пользователи смартфонов средней ценовой категории смогут получить производительность флагманского уровня.

Представитель Samsung сообщил, что «новый uMCP LPDDR5 от Samsung основан на большом опыте компании в области памяти и упаковки, что позволит потребителям наслаждаться непрерывной потоковой трансляцией, играми и смешанной реальностью даже на устройствах не самого высокого уровня. Этот продукт отлично подойдёт к аппаратам Samsung Galaxy A, которые предлагают достойные характеристики, приличные камеры и большие батареи по доступной цене».

Также Samsung говорит, что всё шире распространяются смартфоны с поддержкой 5G и разработки компании в области комплектов чипов в одном корпусе внесут свой вклад в это распространение. Данный метод позволит увеличить объём памяти, скорость работы и снизить энергопотребление.

Производительность оперативной памяти вырастет почти на 50% с 17 ГБ/с до 25 ГБ/с. Производительность флеш-памяти NAND увеличилась более чем вдвое с 1,5 ГБ/с до 3 ГБ/с по сравнению с предыдущим решением, в котором применялись UFS 2.2 и LPDDR4X. Интегрированное решение DRAM/NAND имеет площадь 11,5x13 мм, что даёт пространство для других компонентов внутри корпуса смартфона.

Объём памяти DRAM составляет от 6 ГБ до 12 ГБ, а хранилища UFS от 128 ГБ до 512 ГБ. «uMCP легко задействовать для решения разных задач смартфонов 5G в среднем и верхнем сегментах». Устройства с uMCP должны появиться на основных рынках в конце этого месяца.