Компания Samsung объявила о начале производства 3-нанометровых чипов, обеспечивающих повышенную производительность при меньшем энергопотреблении. Samsung заявила, что ее чипы будут использоваться в вычислениях с низким энергопотреблением, а затем в планах компании задействовать их в мобильных процессорах. При производстве новых чипов используется архитектура транзисторов Gate-All-Around.

3-нм чипы первого поколения обеспечат снижение энергопотребления до 45 %, повышение производительности на 23 % и уменьшат занимаемую ими площадь на 16 % по сравнению с 5-нм чипами. Samsung также заявила, что будущие 3-нм чипы второго поколения снизят энергопотребление на 50%, повысят производительность на 30% и сократят занимаемую ими площадь на 35%.

Samsung пока не сообщила, когда пользователи должны ожидать 3-нанометровые чипы в своих флагманских смартфонах. Мероприятия Unpacked проводятся компанией несколько раз в год, поэтому новости о внедрении новых чипов в мобильные устройства станут известны быстро.