Компания Samsung Electronics сегодня объявила о разработке первой в отрасли оперативной памяти Compute Express Link (CXL) емкостью 512 гигабайт. Новая память CXL DRAM построена на базе контроллера CXL на специализированной интегральной схеме (ASIC) и является первой памятью DDR5 DRAM емкостью 512 ГБ. Новинка обеспечит в четыре раза больший объем памяти и в пять раз меньше системную задержку, по сравнению с предыдущим предложением Samsung CXL. 

В последние годы рост метавселенной, искусственного интеллекта и больших данных генерировал огромные объемы данных. Однако традиционная конструкция DDR ограничивает масштабирование емкости памяти за пределы диапазона десятков терабайт, что требует совершенно новой технологии интерфейса памяти, такой как CXL. Большой пул памяти, совместно используемый CXL и основной памятью, позволяет серверу увеличить объем памяти до десятков терабайт и в то же время увеличить пропускную способность до нескольких терабайт в секунду.  

Samsung CXL DRAM емкостью 512 ГБ станет первым устройством памяти, поддерживающим интерфейс PCIe 5.0 и будет поставляться в форм-факторе EDSFF (E3.S), что особенно подходит для высокопроизводительных корпоративных серверов нового поколения и центров обработки данных.  

Компания Samsung начнет тестирование образцов памяти CXL DRAM емкостью 512 ГБ вместе с клиентами и партнерами в третьем квартале 2022 года и подготовит память к коммерциализации по мере появления серверных платформ следующего поколения.