Компании Sandisk и SK hynix официально представили спецификацию High Bandwidth Flash (HBF) через Open Compute Project. Новая технология позиционируется как мост между производительностью HBM-памяти и большими объемами NAND-флеш.
Источник изображения: SanDisk
Спецификация HBF определяет пакеты емкостью до 512 ГБ с использованием 8- или 16-слойных стеков кристаллов NAND. В отличие от стандартной флеш-памяти, это специализированные устройства с быстрым интерфейсом. Пропускная способность разделена на три класса производительности — от 0,4 до 3 ТБ/с. Самый производительный вариант опережает один стек HBM4 (2 ТБ/с), хотя по задержкам HBF будет уступать.
Технология использует интерфейс UCIe для упрощенной интеграции с гетерогенными вычислительными платформами. Для достижения высокой скорости потребуется сложная базовая логика: 16 кристаллов с множеством массивов, доступных одновременно, и интерфейс UCIe на 64 линии со скоростью 64 ГТ/с.
HBF позиционируется как новый уровень памяти для систем, где уже обученные нейросети применяются к новым данным (inference). В таких системах требуются большие объемы памяти, расположенные близко к вычислительным ядрам, поскольку максимальная емкость стека HBM4 составляет 64 ГБ, а HBF предлагает до 512 ГБ. Однако вопрос принятия технологии остается открытым: интерес проявили только Google и Tenstorrent, а AMD, Intel, Nvidia, Samsung и другие крупные игроки пока не высказали заинтересованности.
