Kioxia подтвердила начало поставок инженерных образцов своей новейшей флеш-памяти. В основе технологии — 332 слоя и 1-терабитные ячейки TLC. Массовое производство запустят на заводе в префектуре Ивате, Япония.

Фото: Kioxia

Скорость интерфейса NAND в новом поколении достигает 4,8 Гбит/с. Это на 33% быстрее, чем у предыдущих решений. Плотность хранения увеличилась на 59%. Энергоэффективность при чтении и записи улучшилась на 30%. В чипах применяют технологии CBA (CMOS непосредственно под массивом) и OPS (выбор затвора на одном шаге). Эти решения использовались уже в 8-м поколении.

Kioxia разрабатывала 9-е и 10-е поколения параллельно. Девятое поколение ориентировано на бюджетные решения с 120 слоями и 512-гигабитными ячейками. Десятое — на максимальную емкость и производительность. Образцы новой памяти отправили избранным заказчикам для проверки функциональности. Дата запуска серийного производства не уточняется. 9-е поколение компания начала рассылать год назад.