Вчера, как вы знаете, в рамках торговой войны между США и Китаем корпорация Google в одностороннем порядке разорвала соглашение с китайским производителем электроники Huawei. Именно эта новость вчера определяла новостной фон нашего сайта, именно поэтому мы упустили из виду несколько интересных тем. В частности, компания Samsung сообщила об освоении 3 нм техпроцесса. Произошло это событие в рамках Foundry Forum. Присутствующие журналисты и эксперты смогли получить информацию о технологии Multi Bridge Channel Field-Effect Transistor, являющееся аналогом GAA. По словам представителя Samsung новая технология была создана в сотрудничестве с IBM. Исходя из полученной информации, переход с 7 нм на 3 нм техпроцесс позволит сократить площадь микросхем на 45%, на 50% снизить энергопотребление и на 35% повысить общую производительность будущих процессоров. 

При этом довольно любопытен тот факт, что Samsung планирует придерживаться плана постепенного перехода к 3 нм техпроцессу, попутно осваивая 6, 5, 4 и, в конце концов, 3 нм техпроцесс. Сроки выхода готовой продукции на 3 нм техпроцессе довольно размыты, однако, уже к середине 2020 года нас ждут решения на базе 5-нм FinFET-технологии. 

Если у вас есть замечания или дополнения к моей новости - обязательно пишите их в комментариях. И не забывайте, что комментарии существует для того, чтобы вы в них писали! 

По материалам сайта techpowerup.com