Обзор и тестирование SoC Xiaomi Surge S1: он вам не MediaTek (страница 3)

Троттлинг и стабильность работы

Теперь мы подошли к самому проблемному аспекту современных SoC. Нет большого смысла в высокой пиковой производительности, если смартфон начинает тупить уже через две-три минуты работы с ним. Учитывая, что Surge S1 построен на устаревающем техпроцессе 28 нм, чудес в этом плане от него ждать не приходится.

Начнем мы с GFX Benchmark.

На этих скриншотах показана работа смартфона в двух режимах энергосбережения. В случае с «Производительным» пиковая производительность составила 1 712 кадров, а «Сбалансированный» оказался способен на 1 238 кадров. Разница небольшая, но нагрев в первом случае оказался существенным, тем не менее, в обоих случаях троттлинг невелик, что по этому графику заметить непросто, поэтому давайте сведем его к абсолютным значениям.

Теперь, когда мы можем рассмотреть абсолютные результаты, да еще и в сравнении с другими чипами, становится ясно: перед нами очень стабильный чип! Правда, он немного уступает Snapdragon 650 в составе Xiaomi Mi Max, но все же, результат очень хороший.

К последнему 29-му прогону Surge S1 оказался производительнее Exynos 8890 и Snapdragon 820 (LG V20). Почему так получилось? Все дело в разрешении, если Snapdragon 820 при разрешении Full HD практически не троттлит в этом тесте, то WQHD – совсем другая история. Про Helio X20 вообще говорить неловко, он у нас аутсайдер.

Посмотрим на результаты семи прогонов Basemark X. Очень высокая стабильность работы! Если присмотреться, то к седьмому прогону Surge S1 показывает производительность выше Exynos 7420, который почти вдвое быстрее «на холодную». Правда, Snapdragon 820 в составе Sony Xperia XZ недостижим при любом раскладе.

Если мы перерисуем график и сравним относительный результат, где за 100% возьмем результат первого прогона, то ничего сильно не изменится – стабильность очень высокая. В этом плане Helio X20 вообще не конкурент в данной дисциплине.

При этом нагрев впечатляющий. 56 градусов на экране и 58 на задней крышке это обжигающе много. Я даже не представляю, насколько горячо у этого смартфона внутри, поскольку температурные датчики не считываются сторонними программами.

Старая версия AnTuTu с тестом стабильности не выявляет каких-то проблем по мере нагрева, но и результат тут невысокий, мягко говоря.

Схожая ситуация наблюдается в тесте 3D Mark Sling Shot Extreme. Обратите внимание на конец графика, новый чип Xiaomi без проблем держит частоту при высокой нагрузке.

Даже при использовании всего четырех потоков вычислений утилита StabilityTest перегревает наш тестовый Xiaomi Mi5C. Причем обратите внимание, 56.2 градуса – температура батареи, не чипа. Напомню, что смартфоны Sony, которые обучены бережно обращаться с батареей, перестают заряжаться при температуре ~42 градуса.

Проще говоря, 56 градусов – это очень много для батареи. При этом корпус смартфона сильно нагрелся.

Но что самое интересное, при повторном запуске AnTuTu 6 смартфон не троттлил. Разница вполне укладывается в погрешность измерений. Отличный результат!

На этом моменте читатель может задаться вопросом, как же так получается, однокристальная система, которая не сбрасывает частоту и построена с применением 28 нм норм производства. Чего тут не хватает? В этой формуле нет энергопотребления. В нашем обзоре Xiaomi Mi5C показал приличную автономность. Это верно, но только не в режиме «Производительный». В нем ситуация выглядит так:

Всего 70 минут. Это в пять раз меньше, чем у того же Xiaomi Mi Max на Snapdragon 650. Поэтому за высокую стабильность при неплохой производительности приходится расплачиваться автономностью. Чудес не бывает.