Обзор и тестирование пяти модулей оперативной памяти DDR4-2133 Geil GN44GB2133C15S объемом 4 Гбайт

До сего момента память DDR4 мы тестировали только именитую и дорогую. Но не у всех есть желание и деньги приобретать, например, DDR4-3200 G.Skill TridentZ. Существует обширный ассортимент бюджетной ОЗУ, который включает и брендовые, и обычные решения. Учитывая, что официально все производимые микросхемы DDR4 укладываются в диапазон частот 2133-2400 МГц, такие модули могут быть интересны.
23 июня 2016, четверг 03:00
I.N. для раздела Лаборатория

Оглавление

Вступление

До сего момента память стандарта DDR4 мы тестировали только брендовую и во многом дорогую. Но не у всех есть желание и деньги приобретать, например, DDR4-3200 G.Skill TridentZ. Существует обширный ассортимент бюджетной оперативной памяти, который включает как именитые, так и обычные решения. В нем можно найти предложения не только Samsung, Micron и SK Hynix, но и ряда компаний, считающихся оверклокерскими.

Официально все производимые микросхемы DDR4 укладываются в диапазон частот 2133-2400 МГц, а все присутствующие в продаже модули с более высокими частотами являются результатом банального отбора в заводских условиях. Но куда девать то, что осталось после такого отсева? Различные «Value Select» и тому подобные серии как раз и являются наиболее очевидным способом реализации таких микросхем и модулей.

Благодаря нашему постоянному партнеру – компании Регард, мы попробуем оценить, насколько подобная память плоха или хороша на примере пяти модулей оперативной памяти Geil DDR4-2133 объемом 4 Гбайт (GN44GB2133C15S).

Исследуем разгонный потенциал бюджетной оперативной памяти: шесть модулей SK Hynix DDR3-1600 HMT451U6BFR8A объемом 4 Гбайт


Оперативную память мы тестируем регулярно, но сложилось так, что в центре внимания оказывались лишь брендовые модули. А различные дешевые планки, способные продемонстрировать отменный разгонный потенциал, долгое время оставались вне прицела наших экспериментов. Этим материалом мы исправим данное упущение.

Обзор Geil GN44GB2133C15S

У нас на руках оказалась интересная память. С одной стороны, вот она, перед нами, с другой – официальный сайт компании Geil глух и нем в отношении нее – артикул «GN44GB2133C15S» не упоминается вовсе.

Если смотреть по внешнему виду, то из всего ассортимента моделей среди DDR4 только одна серия лишена каких-либо радиаторов – это Geil DDR4 Pristine Series, но ее кодовые обозначения выглядят совершенно иначе.

Они начинаются с букв «GP» (против «GN»), а количество символов в них – 15-16 (против 14).

Дизайн и особенности модулей памяти

Участники обзора поставляются в «голом» виде, никакой упаковки не предусмотрено.

Они снабжены этикетками, на которых указаны серийные номера (на снимках заретушированы), объем (4 Гбайт), основные тайминги (15-15-15-36), частота (PC4-17000 – DDR4-2133) и напряжение (1.2 В). Отметим, что серийные номера идут подряд – факт мелкий, но в этом тестировании он окажет немаловажное влияние на выводы.

Исполнение модулей памяти – одностороннее.

Текстолит коричневого цвета – в стиле других решений Geil. Визуально можно насчитать восемь слоев металлизации,…

… а на краю печатной платы можно обнаружить цифру «8», скорее всего, являющуюся нумерацией слоев.

Компания Geil не является изготовителем печатных плат модулей – слишком часто маркировка HJ M1/M2 попадается у других брендов.

Микросхемы DRAM перемаркированы. Из нанесенного на поверхность микросхем текста можно узнать лишь их внутреннюю организацию и тип.

И все же существует один признак, позволяющий узнать реального производителя: на микросхемах DRAM, как правило, присутствуют технологические пометки, представляющие собой гравировку в виде круга и фигур внутри него.

Определенная фигура свойственна конкретному производителю. Но Geil отличилась и здесь: гравировка заменена на нехарактерную.

Восемь горизонтальных линий. Опознать оную мне не удалось даже после просмотра многочисленных обзоров различной памяти в сети.

К счастью, инженеры Geil не стали увлекаться секретностью и в содержимом микросхем SPD все же можно обнаружить прописанную информацию о реальном изготовителе микросхем DRAM, но данные о конкретной серии микросхем отсутствуют.

Если верить SPD, микросхемы изготовлены компанией Micron. Также в SPD отсутствует информация о серийном номере каждого из модулей – соответствующее поле просто не заполнено. Зато есть данные о дате изготовления – 27 неделя 2015 года (иначе говоря, модули сошли с конвейера еще год назад).

Согласно данным в SPD, рассматриваемые модули изначально рассчитаны на работу в режиме с эффективной частотой 2133 МГц, при напряжении 1.2 В и таймингах 15-15-15-36-51 – стандартные характеристики DDR4 начального уровня. Температурный мониторинг отсутствует.

Отчеты CPU-Z и AIDA64:

В довершение осмотра приведем дамп содержимого микросхемы SPD (снято посредством Thaiphoon Burner).

Тестовый стенд

Используемый тестовый стенд собирался из следующих комплектующих:

  • Материнская плата: ASRock Z170 Extreme6 (BIOS P1.90; экземпляр из этого обзора);
  • Процессор: Intel Core i5-6600K «Skylake-S» 3500 МГц;
  • Система охлаждения: Thermalright Silver Arrow SB-E с одним вентилятором Thermalright TY-143;
  • Термоинтерфейс: Arctic Cooling MX-2;
  • Оперативная память: DDR4-2133 GeIL GN44GB2133C15S 5 х 4 Гбайт (15-15-15-36; 1.20 В);
  • Видеокарта: встроенное графическое ядро процессора;
  • Блок питания: AeroCool Templarius Imperator 1150 мощностью 1150 Ватт (экземпляр из этого обзора);
  • Системный накопитель: Samsung SM951 256 Гбайт (Samsung UBX + 16 нм MLC ToggleNAND Samsung, BXW2500Q; экземпляр из этого обзора);
  • Корпус: открытый стенд.

Методика тестирования

Для проведения тестов используется материнская плата ASRock Z170 Extreme6, оставшаяся после прошлогоднего обзора.

К сожалению, данная модель не лишена недостатков: тайминги tRCD и tRP можно устанавливать только одинаковыми – в BIOS управление ими осуществляется посредством одного общего параметра. Тайминг tRAS и вовсе ограничен минимальным значением 28 (к примеру, некоторые системные платы допускают снижение до 10-14).

Это заметно ограничивает широту экспериментов с разгоном, ведь для некоторых типов микросхем оптимальными являются формулы неравных таймингов вроде «х + (х+1) + (х+2)».

Верхняя планка напряжения оперативной памяти в рамках тестов установлена равной 1.45 В в связи с неясностью относительно безопасности высоких значений для встроенного контроллера памяти процессора.

Тестирование стабильности проводится в среде операционной системы Windows 10 x64 Домашняя с помощью Prime95 версии 28.9 в редакции 64-bit в течение 20 минут. Запуск осуществляется в режиме «Custom» с ручным указанием занимаемого объема памяти. Операционная система Windows 10 x64 Домашняя на тестовом стенде обновлена до последней актуальной версии сборки: таковой на момент написания данного обзора была 10586.338.

Подобные настройки подбираются для того, чтобы проверка стабильности работы была наиболее полной – по всему объему модуля памяти. И это приводит к постоянным сообщениям операционной системы о недостатке свободного пространства. Файл подкачки отключен.

Сами модули памяти устанавливались в систему поодиночке: для минимизации факторов, ограничивающих разгон (оптимизация микрокода BIOS материнской платы, индивидуальные ограничения контроллера памяти конкретного экземпляра процессора). При этом учитывалась рекомендация производителя: модуль памяти устанавливался во второй по счету слот от процессорного разъема.

Частоты процессорных ядер и CPU Ring фиксировались на штатных величинах. Напряжение CPU VCCSA устанавливалось равным 1.2 В, напряжение CPU VCCIO устанавливалось равным 1.1 В. Для желающих скопировать настройки «для себя»: необходимо учитывать, что излишнее завышение напряжений CPU VCCIO и CPU VCCSA (более указанных значений) особенно при отсутствии должного охлаждения ЦП может привести к необратимым повреждениям процессора.

Тестирование разгонного потенциала

Модуль №1

Модуль №2

Модуль №3

Модуль №4

Модуль №5

Краткие выводы:

  • Перебор значений таймингов RAS to CAS и Row Precharge на частотный потенциал модулей оперативной памяти Geil GN44GB2133C15S влияет очень слабо;
  • Напряжение 1.45 В не только не обеспечивает (за редким исключением) дальнейшего повышения частотного потенциала, а даже ухудшает его: если на какой-то частоте модули еще и работали, пусть и с ошибками, то повышение напряжения до 1.45-1.50 В приводило систему к полной неработоспособности;
  • Один модуль смог продемонстрировать хороший разгонный потенциал, два – просто хороший, другие два – от «удовлетворительно» до «очень слабо».

Заключение

Краткий диагноз – доступные модули для бюджетной системы. Если вам нужна дешевая память – пожалуйста. Если важен и ценник, и разгон – будьте добры обратить внимание на OEM DDR4 несколько более высокого ценового класса. Нет, модули памяти DDR4 Geil GN44GB2133C15S можно разгонять, но их потенциал в данном плане совершенно непредсказуем: планки с идущими подряд серийными номерами могут таить в себе как неприятный сюрприз, так и отличные возможности.

Подобная особенность отлично подтверждает предположение, высказанное во вступлении: для производства бюджетных модулей идут те микросхемы, которые в процессе производственного тестирования оказались неспособны работать в составе имиджевых оверклокерских модулей. Иногда попадаются и хорошие, но это, судя по всему, скорее исключение, чем правило, что логично.

I.N.


Выражаем благодарность:

  • Компании Регард за предоставленные для проведения тестов процессор Intel Core i5-6600K и модули оперативной памяти DDR4 Geil GN44GB2133C15S;
  • Компании ASRock за предоставленную на тестирование материнскую плату ASRock Z170 Extreme6.