• Введение
• Платформа для проверки характеристик памяти
• Cell Shock CS3222580
• Patriot PDC32G1866LLK
• Сравнение DDR3-1800 разных производителей
• Выводы

Введение

Появившаяся на рынке с выходом набора логики Intel P35 новая системная память стандарта DDR3 SDRAM пока что не может похвастать своей популярностью. Даже приобретающие новые системы пользователи пока что отдают предпочтение DDR2 SDRAM, так как эта проверенная временем память стоит значительно дешевле и при этом в большинстве случаев способна обеспечивать не худшее быстродействие. Не помогло продвижению на рынок DDR3 SDRAM и появление нового чипсета для энтузиастов, Intel X38. Производители материнских плат смогли быстро освоить производство продуктов на его основе, обладающих совместимостью со старой DDR2 памятью, и именно к ним в настоящее время покупатели проявляют больший интерес. Однако не заметить медленные, но верно происходящие на рынке изменения всё-таки нельзя. Самые функциональные, дорогие и производительные платформы для геймеров-оверклокеров сегодня потихоньку начинают переходить на применение DDR3 SDRAM. Дело в том, что системы с DDR3 SDRAM, имеющей гораздо более высокий, нежели DDR2 память, частотный потенциал, при разгоне выигрывают в производительности у платформ с памятью прошлого поколения. А, кроме того, такая память, предлагаемая ведущими поставщиками оверклокерских модулей, гарантирует полное отсутствие каких бы то ни было проблем: поддерживаемые ей частоты достаточно велики для работы при любом повышении частоты FSB.

Дополнительный толчок в повышении популярности DDR3 SDRAM должен дать и скорый выход набора логики Intel X48. Этот чипсет, который будет ориентирован на использование совместно с процессорами с 1600-мегагерцовой системной шиной, будет официально поддерживать лишь DDR3 память, причём вплоть до DDR3-1600, которая ещё совсем недавно могла применяться только в оверклокерских платформах.

Таким образом, для развития DDR3 SDRAM начинает складываться вполне благодатная почва. Чем и пользуются производители памяти для энтузиастов, представляющие всё новые и новые DDR3 продукты. Месяц назад мы уже рассматривали модули DDR3-1800 и DDR3-1866, предлагаемые компаниями Corsair, OCZ и Super Talent. Однако на сегодняшний день число производителей, выпускающих аналогичные модели памяти, увеличилось. За прошедший период времени в нашу лабораторию поступили подобные продукты, продаваемые под торговыми марками Cell Shock и Patriot. Хотя в основе этих модулей памяти лежат такие же, как и в других оверклокерских DDR3 продуктах, чипы Micron D9GTR, мы решили уделить внимание и им. Тем более что характеристики вновьприбывших продуктов несколько отличаются от спецификаций уже тестировавшихся комплектов памяти для энтузиастов.

Следует отметить, что разные производители памяти, предлагающие модули, основанные на одних и тех же микросхемах, действительно имеют возможность создания отличающихся продуктов. Это обуславливается как разными технологиями сортировки чипов и использованием различных систем охлаждения, так и собственным дизайном печатных плат, лежащих в основе модулей. Зачастую, эти отличия оказываются вполне достаточными для однозначного ранжирования похожей с точки зрения характеристик DDR3 SDRAM.

Платформа для проверки характеристик памяти

Для проверки практических характеристик тестируемых модулей нами была собрана специальная система. В отличие от нашего прошлого исследования DDR3-1800 SDRAM, на этот раз для тестов мы решили использовать более новую платформу, базирующуюся на наборе логики Intel X38. В основу испытательного стенда легла материнская плата ASUS P5E3 Deluxe, которая, впрочем, как было выяснено впоследствии, при разгоне памяти ведёт себя аналогично ASUS P5K3 Deluxe на Intel P35, использовавшейся в предшествующем тестировании. Иными словами, DDR3 SDRAM на ASUS P5E3 Deluxe и ASUS P5К3 Deluxe разгоняется совершенно одинаково, что позволяет сопоставлять полученные сегодня результаты с данными тестов, сделанными нами ранее.

Целиком тестовая система включала следующие комплектующие:

• Процессор: Intel Core 2 Duo E6750 (LGA775, 2.66GHz, 1333MHz FSB, 4MB L2, Conroe).
• Материнская плата: ASUS P5E3 Deluxe (LGA775, Intel X38, DDR3 SDRAM).
• Графическая карта: OCZ GeForce 8800GTX.
• Дисковая подсистема: Western Digital WD1500AHFD.
• Блок питания: SilverStone SST-ST85ZF (850 Вт).
• Операционная система: Microsoft Windows Vista Ultimate x86.

Разгон памяти выполнялся с использованием делителя FSB:Mem, равного 1:2. Стабильность системы проверялась тестовыми программами S&M 1.9.0 и Prime95 25.5.

Следует заметить что, так как контроллеры памяти существующих DDR3 наборов логики Intel P35 и Intel X38 не поддерживают более низких, чем 1:2 делителей FSB:Mem, тактование памяти на частоте 1800 МГц и выше требует разгона FSB до частот, превышающих 450 МГц. Именно поэтому, для успеха оверклокерских испытаний памяти мы понижали множитель процессора до 7x, одновременно увеличивая его напряжение до 1.4 В, а также повышали до 1.55 В вольтаж на северном мосту набора логики.

Cell Shock CS3222580

Большинство наших читателей с маркой Cell Shock скорее всего ещё не знакомо. Ведь у нас в лаборатории подобная память оказалась впервые. Между тем, Cell Shock – это торговая марка, принадлежащая достаточно известному немецкому дистрибутору электронных компонентов – MSC Vertriebs GmbH. Данный товарный знак используется компанией для своих модулей памяти, которые разрабатываются и производятся в Германии на собственных мощностях с применением оригинальных технологий. Таким образом, Cell Shock – это новая оверклокерская память европейского происхождения.

На тесты нами был получен комплект DDR3 модулей с артикулом CS3222580. За этим буквенно-цифровым сочетанием скрывается пара гигабайтных DDR3-1800 модулей, рассчитанных на работу с таймингами 8-7-6-21 при напряжении 1.7-1.9 В.

Поставляется рассматриваемый комплект в весьма нехарактерной для оверклокерской памяти упаковке. Модули убраны в чёрную картонную коробку с прозрачным «окном», в которой, помимо пары «линеек» DDR3 SDRAM, нашлось место для короткой инструкции и стикера с логотипом Cell Shock для передней панели корпуса.

Внешний вид самих модулей также необычен. Для отвода тепла от чипов памяти производитель использует массивные алюминиевые пластины строгой, но оригинальной формы, анодированные в чёрный цвет. Несмотря на то, что гигабайтные модули DDR3 несут на себе по восемь гигабитных чипов, расположенных с одной стороны печатной платы, Cell Shock экономить на радиаторах не стал. Каждый модуль оснащается парой теплорассевателей, прилегающих как к лицевой стороне чипов, так и оборотной стороне печатной платы. Крепление радиаторов на модуле также весьма своеобразно: оно обеспечивается четырьмя винтами, стягивающими «половинки» системы охлаждения. В качестве термоинтерфейса между чипами и теплорассеивателями используется термопаста белого цвета.

Радиаторы украшены шестью неглубокими продольными канавками, кроме того, на лицевой стороне модуля выдвлен логотип Cell Shock. На оборотной стороне приклеена серебристая наклейка, содержащая сведения об артикуле и номинальных характеристиках комплекта памяти. Штатные спецификации рассматриваемых модулей несколько необычны: DDR3-1800 от Cell Shock обладает весьма нехарактерным сочетанием задержек.

Заметим, что модули DDR3-1800 от Cell Shock рассчитаны на сравнительно низкое напряжение питания. В то время как большинство аналогичных продуктов от других производителей использует напряжение 1.9-2.0 В, память Cell Shock может работать и при напряжении в 1.7 В, что всего лишь на 13% выше декларируемых спецификаций JEDEC для DDR3 чипов 1.5 В.

Содержимое SPD достаточно стандартно. В нём прописаны тайминги из спецификации, но декларируемая частота занижена до 1600 МГц, что позволяет модулям запускаться при напряжении в 1.5 В, выставляемом большинством плат по умолчанию. При этом профили XMP память от Cell Shock не поддерживает.

Практическое тестирование DDR3-1800 от Cell Shock позволяет сделать вывод о том, что эта память имеет хороший разгонный потенциал, что отчасти обуславливается возможностью повышения напряжения питания относительно заявленных в спецификациях значений. Например, при его увеличении до 2.0 В, используемых большинством DDR3-1800 продуктов других производителей, частота 1800 МГц покоряется рассматриваемым модулям даже с задержками 7-7-7-20, что является очень хорошим результатом. При штатном же напряжении в 1.9 В максимальная частота стабильной работы памяти Cell Shock с такими таймингами ограничивается лишь величиной в 1788 МГц.

Весьма внушительные частоты DDR3-1800 Cell Shock покоряет и при «ослаблении» задержек по схеме 8-8-8-24. На штатном напряжении в 1.9 В память стабильно разгоняется до 1900 МГц, а дальнейшее увеличение напряжения позволяет ещё слегка поднять эту планку.

Приведённый на скриншоте результат получен при напряжении на памяти, установленном в 2.0 В. Установка же напряжения питания памяти в значения выше 2.1 В в нашем случае стала приводить к снижению разгонного потенциала, что, по-видимому, объясняется небезграничной эффективностью применённых теплорасеивателей.

Полный протокол испытаний памяти Cell Shock приводится в таблице ниже, из которой можно почерпнуть сведения о максимальной достигнутой нами частоте памяти при различных таймингах и напряжении.

Что же касается лучших таймингов, при которых память Cell Shock может функционировать на штатной частоте 1800 МГц, то они при напряжении питания 2.0 В составили 7-6-5-18.

Это – весьма производительный режим, который ранее мы смогли получить лишь при использовании элитных модулей Corsair Dominator TWIN3X2048-1800C7DF G. Однако даже память от Corsair проигрывает рассмотренному продукту от Cell Shock в части максимальных частот при таймингах 8-8-8-24. Этот факт даёт нам возможность назвать дебют модулей памяти германского производителя на страницах нашего сайта не просто удачным, а даже выдающимся.

Patriot PDC32G1866LLK

Не отставать от ведущих производителей оверклокерской памяти решила и компания PDP Systems, предлагающая свои модули для энтузиастов под хорошо известной торговой маркой Patriot. Причём, этот производитель решил замахнуться даже на более высокую, чем 1800 МГц частоту, выпустив модули DDR3-1866 SDRAM. Очевидно, Patriot руководствовался тем, что тактование DDR3 памяти на такой частоте позволяет покорить «красивый» рубеж пропускной способности, дающий право использовать для маркировки своего продукта наименование PC3-15000.

Для испытаний Patriot прислал нам высокоскоростной комплект из двух гигабайтных модулей DDR3-1866 SDRAM с артикулом PDC32G1866LLK. Согласно спецификации, эта память, основанная на всё тех же чипах Micron D9GTR, должна работать при частоте 1866 МГц и напряжении 1.9 В с таймингами 8-8-8-24.

Комплект Patriot PDC32G1866LLK поставляется во вполне обычной пластиковой прозрачной упаковке, внутрь которой помимо двух «плашек» памяти вложен иллюстрированный вкладыш информационно-рекламного содержания.

Внешний вид самих модулей также вполне привычен: на них использованы стандартные для памяти Patriot алюминиевые литые теплорассеиватели с неглубокими рёбрами. Единственной их особенностью является натуральный алюминиевый цвет, который Patriot избрал для всех радиаторов, используемых на DDR3 SDRAM. Несмотря на то, что рассматриваемые модули односторонние, радиаторы приделаны к ним с обеих сторон, а держатся они исключительно благодаря клейкой термопрокладке. Имеющаяся на каждом из модулей наклейка несёт на себе информацию об артикуле и штатных характеристиках комплекта памяти.

Следует отметить, что среди продуктов Patriot недавно появились и более эстетичные DDR3-1866 модули серии Viper с аналогичными характеристиками, но более «модными» высокими гребнеобразными радиаторами, некоторые фрагменты которых выполнены из меди.

Что же касается рассматриваемого нами комплекта Patriot PDC32G1866LLK, то его штатные характеристики выглядят следующим образом:

Дополнительно к этим данным на сайте Patriot имеется информация о том, что все модули проходят предварительное тестирование на материнских платах на базе наборов логики Intel P35 и X38.

Память Patriot PDC32G1866LLK пока что не может похвастать поддержкой спецификации XMP. Содержимое же SPD заполнено «простыми» профилями, которые должны гарантировать возможность запуска системы с этой памятью без предварительной настройки BIOS Setup.

Тестируя оверклокерскую DDR3 SDRAM ранее, мы уже убеждались в том, что, несмотря на одну и ту же элементную базу, практические характеристики модулей разных производителей могут сильно различаться. Так произошло и в этот раз: поведение Patriot PDC32G1866LLK при разгоне оказалось совершенно непохожим на то, как работала память Cell Shock.

В частности, при агрессивных таймингах 7-7-7-20 DDR3-1866 от Patriot не смогла порадовать стабильным функционированием на частотах, близких к 1800 МГц, ни при каком напряжении. Максимум частоты, который удалось выжать с этими задержками, составил 1724 МГц и он был получен при напряжении питания, установленном в 2.0 В.

Зато при более слабых таймингах 8-8-8-24, которые в то же время для DDR3-1866 от Patriot являются штатными, эта память продемонстрировала куда более высокие результаты. Так, при штатном напряжении питания 1.9 В модули стабильно работали при частотах до 1936 МГц, а увеличение напряжения до 2.0 В позволило добиться стабильности на феноменально высокой частоте 1972 МГц, которая на данный момент является рекордной в наших испытаниях.

К сожалению, дальнейшее увеличение напряжения питания к росту разгонного потенциала памяти уже не приводило, что, по всей видимости, объясняется ограниченными возможностями применённой пассивной системы охлаждения.

Полный список результатов тестов выглядит следующим образом:

К сказанному остаётся добавить, что при частоте 1800 МГц и напряжении 2.0 В комплект модулей Patriot PDC32G1866LLK смог обеспечить стабильную работу системы не только при штатных задержках, но и при более агрессивных таймингах 8-7-6-22.

Впрочем, это явно хуже результатов DDR3-1800 от Cell Shock. Получается, можно говорить о том, что особенности DDR3-1866 от Patriot таковы, что эта память хорошо справляется с высокими частотами, но при этом работа на агрессивных таймингах – явно не её конёк.

Сравнение DDR3-1800 разных производителей

В общей сложности в нашей лаборатории уже побывало пять комплектов оверклокерской DDR3 памяти, рассчитанной на эксплуатацию при частотах 1800 МГц и выше. Помимо рассмотренных в настоящем материале модулей Cell Shock и Patriot мы тестировали DDR3 от Corsair, OCZ и Super Talent (соответствующий обзор доступен тут). Поэтому, для полноты картины мы решили сопоставить возможности памяти разных поставщиков: такое сравнение позволит нам сделать более обоснованные выводы.

На диаграммах ниже мы приводим предельные частоты, которые были достигнуты в нашей лаборатории при использовании различных модулей памяти. Первая диаграмма обобщает результаты, полученные при таймингах 7-7-7-20.

Низкие (для DDR3 SDRAM) тайминги 7-7-7-20 являются штатным режимом для модулей Corsair Dominator TWIN3X2048-1800C7DF G. Именно эта память и демонстрирует в данном случае лучший результат: она оказывается способной к стабильной работе на частотах вплоть до 1860 МГц. Рассмотренные сегодня модули Cell Shoсk – на втором месте. Они смогли обеспечить стабильность лишь при частотах не выше 1808 МГц. Остальные же модули и вовсе не могут перевалить через рубеж 1800 МГц при задержках 7-7-7-20.

Испытания же, раскрывающие максимальную частоту при задержках 8-8-8-24, выявляют несколько иную картину.

Здесь в лидерах оказывается комплект Patriot PDC32G1866LLK: эта память не дотягивает до психологически важного двухгигагерцового рубежа лишь самую малость. На втором месте – другой участник сегодняшнего обзора – память Cell Shock, которая оказывается способна к работе на частотах до 1908 МГц.

В заключение приведём таблицу, в которой указываются наиболее агрессивные тайминги, при которых рассмотренная память может стабильно работать на «базовой» частоте 1800 МГц:

Дополнительные комментарии здесь вряд ли нужны: лучшее сочетание задержек при работе на частоте 1800 МГц могут обеспечить модули Corsair и Cell Shock.

Анализ производительностью систем, оснащённых DDR3 SDRAM с различными настройками частоты и таймингов, был проведён нами в предыдущих материалах:

• DDR3 наращивает скорость: тесты DDR3-1800 SDRAM
• DDR3-1600 SDRAM: технологический прорыв или маркетинговый пшик?
• DDR3 SDRAM: революция или эволюция?

Выводы

Рассмотренные в этом обзоре новые модули скоростной DDR3 памяти для оверклокеров от Cell Shock и Patriot произвели на нас очень хорошее впечатление. Очевидно, эти компании выпустили свои DDR3-1800 и DDR3-1866 продукты несколько позже других производителей неспроста. Благодаря полученному дополнительному времени для подготовки специалисты Patriot и Cell Shock смогли разработать удачный дизайн печатной платы и организовать более эффективный отбор чипов. А это в конечном итоге вылилось в то, что продукты второго поколения на чипах Micron D9GTR в реальной работе как минимум не уступают «пионерам».

Модули Patriot PDC32G1866LLK продемонстрировали хорошие возможности разгона по частоте. Среди всех побывавших в нашей лаборатории DDR3 комплектов памяти именно они смогли продемонстрировать устойчивую работу на максимальных частотах, приближающихся к 2-гигагерцовой отметке.

DDR3-1800 память от Cell Shock порадовала же своей универсальностью. При сравнительно хороших возможностях разгона по частоте она может работать на высоких, близких к 1800 МГц частотах с весьма агрессивными таймингами. Следует отметить, что при этом модули Cell Shock стоят несколько дешевле конкурирующих продуктов с аналогичными характеристиками, что, безусловно, делает их весьма привлекательным приобретением для оверклокеров, желающих построить свою систему с использованием DDR3 памяти.

Впрочем, на данный момент даже DDR3-1800 от Cell Shock не может похвастать разумной ценой. Несмотря на то, что память, работающая на частоте 1800 МГц и выше способна действительно увеличить производительность системы в реальных приложениях, её стоимость значительно превышает цену оверклокерской DDR2 SDRAM аналогичного объёма. Поэтому, DDR3 пока что не имеет шансов завоевать широкую популярность даже среди оверклокеров.