Южнокорейская компания Samsung Electronics на одном из корпоративных мероприятий для клиентов, пользующихся её услугами по контрактному производству полупроводниковых изделий, объявила о доступности для разработчиков инструментария, позволяющего создавать продукты, которые будут выпускаться по 3-нм технологии с инновационной пространственной структурой транзисторов. Описываемый подход намереваются, пусть и с какими-то вариациями, применить и TSMC, и Intel, но Samsung опережает их на целый год, как минимум.

Новую структуру транзистора Samsung назвала Multi-Bridge-Channel FET (MBCFET), она изображена на иллюстрации в крайнем правом положении. От общепринятой компоновки транзистора с каналами, полностью окружёнными затворами (Gate All Around, GAA), она отличается продолговатой формой каналов. Их ширину и количество можно варьировать, определяя тем самым рабочие характеристики транзистора.

Техпроцесс с нормами 3 нм, который подразумевает использование MBCFET, позволяет на 45% сократить площадь кристалла по сравнению с 7-нм техпроцессом, при этом уровень энергопотребления снижается вдвое. Либо можно поднять быстродействие транзисторов на 35% в рамках того же энергопотребления. Цифровые проекты прототипов 3-нм изделий компанией Samsung уже получены, компания намеревается и дальше совершенствовать характеристики 3-нм техпроцесса.

Во второй половине этого года Samsung рассчитывает запустить серийное производство 6-нм изделий, и завершить разработку 4-нм техпроцесса. В первой половине следующего года начнётся массовый выпуск изделий по 5-нм технологии. Выпуск 3-нм продуктов с описанной выше структурой транзисторов будет освоен в 2021 году, но это будут изделия с низким уровнем энергопотребления. До их более мощных сородичей новый техпроцесс доберётся только в 2022 году. Новая структура транзисторов, по оценкам представителей Samsung, позволит создавать и 2-нм продукты. А вот с помощью какой технологии Samsung преодолеет барьер в 1 нм, компания пока не решила, но она не сомневается, что этот рубеж будет покорён.