Samsung теперь предлагает память eUFS объёмом 1 Тбайт для флагманских смартфонов

для раздела Новости Hardware

Компания Samsung приступила к массовому производству первых в мире модулей твердотельной памяти eUFS 2.1 (Embedded Universal Flash Storage) ёмкостью 1 Тбайт. Как известно, флэш-память данного типа используется в смартфонах и других мобильных устройствах.

реклама

анонсы и реклама

Чип памяти ёмкостью 1 Тбайт имеет такие же габариты, что и версия на 512 Гбайт, то есть 11,5 х 13,0 мм. Новинка сочетает в себе твердотельную память Samsung V-NAND и новейший контроллер от самой Samsung. Помимо высокого объёма новый модуль памяти отличается также весьма высокой производительностью. Samsung заявляет, что скорость последовательного чтения достигает 1000 Мбайт/с, а последовательной записи — 260 Мбайт/с. В свою очередь производительность при случайном чтении и записи составляет 58 000 и 50 000 IOPS соответственно.

реклама

Судя по заявленным характеристикам, новый терабайтный модуль Samsung eUFS 2.1 должен обеспечить будущие смартфоны не только ёмким, но и скоростным хранилищем данных. Одним из первых смартфонов, в котором, скорее всего, найдёт применение новинка, может стать Samsung Galaxy S10 Plus. По слухам, самая старшая версия данного смартфона будет оснащена 12 Гбайт оперативной и 1 Тбайт встроенной памяти. Новые смартфоны Galaxy S10 будут представлены 20 февраля.

Оценитe материал
рейтинг: 3.0 из 5
голосов: 2

Комментарии Правила

Лента материалов раздела

Возможно вас заинтересует

Сейчас обсуждают