Недавно компания SK Hynix добавила в свой каталог продуктов новые микросхемы памяти DDR4 объёмом 16 Гбит, построенные на одиночных кристаллах. Преимуществом таких микросхем является не только то, что они позволят создавать модули памяти большой ёмкости, используя меньшее число чипов, но также они позволят партнёрам SK Hynix создавать модули памяти DDR4 объёмом 256 Гбайт для серверных систем, сообщает AnandTech.

На самом деле 16 Гбит чипы DRAM как таковые не являются прорывом. Производители памяти, в том числе SK Hynix, уже создают ёмкие чипы памяти, размещая два или четыре 8-Гбит кристалла друг над другом, используя технологию TSV для получения микросхем объёмом 16 и 32 Гбит, что позволяет создавать модули памяти на 64 и 128 Гбайт. Правда, такой подход делает организацию DIMM очень сложной: в результате 64-Гбайт модули получаются четырёхранговыми (по два физических и логических ранга), тогда как модуль 128 Гбайт и вовсе получаются восьмиранговыми (два физических и четыре логических). В результате, модули LRDIMM, которые и так имеют относительно высокую латентность, потому что они используют дополнительные буферы, из-за такой компоновки получают задержки до CL20 и CL22 для DDR4-2400 и DDR4-2666, соответственно.

А вот новые микросхемы SK Hynix включают только один 16-Гбит кристалл DDR4. Такие микросхемы позволяют производителям создавать модули или подсистемы памяти, используя меньшее количество микросхем, тем самым снижая энергопотребление, а также открывают возможности для создания серверных DIMM ёмкостью до 256 Гбайт. Кроме того, для серверов 16 Гбит кристаллы DDR4 позволят создавать двухранговые 64-Гбайт модули, четырехранговые 128 Гбайт LRDIMM и восьмиранговые 256 Гбайт LRDIMM.

Несомненно, 128 и 256 ГБбйт модули памяти будут стоить отнюдь не дёшево. Например, Crucial продаёт свои одиночные модули 128-Гбайт DDR4-LRDIMM по $4000 в розницу, поэтому модуль вдвое большего объёма будет стоить куда выше.

Новые 16-Гбит микросхемы DDR4 от SK Hynix организованы как 1Gx16 и 2Gx8 и поставляются в упаковках FBGA96 и FBGA78, соответственно. В настоящее время доступны 16-Гбит микросхемы с поддержкой режимов DDR4-2133 CL15 и DDR4-2400 CL17 при напряжении 1,2 В. В третьем квартале текущего года SK Hynix планирует добавить DDR4-2666 CL19 в линейку. SK Hynix не раскрывает, какой именно технологический процесс она использует для изготовления новых чипов памяти.

В конце добавим, что не только серверному сегменту будут нужны чипы DDR4 на 16 Гбит. Такие микросхемы позволят разработчикам модулей SO-DIMM создавать одноранговые 16-Гбайт модули DDR4 SO-DIMM. Кроме того, новые микросхемы SK Hynix позволят создателям тонких ноутбуков, в которых память распаивается сразу на материнскую плату, использовать всего восемь чипов для набора 16 Гбайт памяти, потому как сейчас в большинстве тонких ноутбуков предлагается лишь 8 Гбайт, и лишь в старших комплектациях больше.