На днях состоялось очередное мероприятие Общества оптики и фотоники (Society of Photo-Optical Instrumentation Engineers, SPIE). Одним из вопросов, который обсуждался на встрече, стал вопрос коммерческой зрелости литографии в сверхжёстком ультрафиолетовом излучении (EUV). Своё мнение об этом высказали компании Intel и Samsung. Отдельно выступали представители бельгийского центра Imec, которые представили литографию EUV как вспомогательную для производства 5-нм полупроводников.

Предварительно почти все сходятся на том, что для коммерческих целей EUV-проекция начнёт использоваться в районе 2020 года, но только для производства нескольких критически важных слоёв. Это позволит вместо четырёх проекций на слой для 193-нм иммерсионной литографии выполнять только одну проекцию на слой для 13,5-нм EUV-литографии.

Представители компании Samsung ещё в октябре прошлого года заявили, что они будут использовать EUV-сканеры для выпуска 7-нм чипов. Правда в компании не уточняют, как и когда это произойдёт. В компании Intel тоже подчёркивают критическую важность EUV-сканеров для производства 7-нм решений, но начинать такое производство раньше коммерческой зрелости EUV-сканеров представляется неразумным.

Согласно плану Intel, из 8 пунктов плана по разработке технологий для производства чипов с использованием EUV-проекции 6 пунктов выполнено или близки к выполнению. Один из пунктов в разработке — это создание защитных плёнок для предотвращения появления дефектов на пластинах под воздействием жёсткого излучения. Зато самый важный пункт — создание инструментов для выявления дефектов на фотомаске, пока не имеет сроков завершения работ. Компании Intel и Samsung самостоятельно разрабатывают такие инструменты, не полагаясь на профильные компании. Это позволит выпускать чипы с использованием EUV-проекции, но потребует дополнительных расходов на оборудование либо увеличит процент брака.

По признанию Samsung, компании удаётся создавать фотомаски для EUV-проекции с высоким качеством, когда число дефектов не превышает пяти, и такие дефекты поддаются исправлению. Компания Intel, в свою очередь, сообщает о наличии собственной линии для выпуска фотомасок для EUV-проекции и она уже опробована для выпуска бездефектных масок для производства 14-нм, 10-нм и 7-нм образцов.