На сайте EE Times появилась заметка, написанная по следам недавней квартальной конференции компании Samsung Electronics. Напомним, южнокорейский гигант рынка электроники показал рекордные квартальные выручку и прибыль, за что он благодарит полупроводниковое подразделение и, прежде всего, производство микросхем памяти. Память начала расти в цене с июня-июля 2016 года. В 2017 году, как все ожидают, рост цен на память продолжится. Компания Samsung, как подчеркнуло её руководство, собирается оставаться лидером рынка DRAM и NAND-флэш.

В 2016 году капитальные затраты Samsung составили 25,5 трлн вон ($22 млрд). Около 80% из этой суммы пошло на инвестиции в производство памяти, а остальное — в производство логики и SoC. Капитальные затраты в 2016 году могли бы быть больше — до 27 трлн вон, однако Samsung решила повременить с вложением средств в подразделения по производству дисплеев. На 2017 год объём капитальных затрат пока не определён. Спрос на память начинает опережать предложение и можно неспеша получать прибыль от наметившегося дефицита.

Тем не менее, Samsung обещает быть впереди планеты всей по объёмам производства самой передовой DRAM-памяти класса 10 нм (выпуск 18-нм DRAM начат в марте 2016 года) и по темпам внедрения в производство 64-слойной памяти 3D NAND. Что касается перехода на 7-нм техпроцесс в начале следующего года, то, очевидно, Samsung также надо ускоряться, иначе её в этом вопросе обещает обогнать компания TSMC. Интересно, что TSMC намеревается внедрить EUV-литографию в 7-нм производство на втором году жизни 7-нм техпроцесса (в течение 2019 года), а Samsung надеется задействовать EUV-сканеры уже на первом году выпуска 7-нм чипов (в 2018 году).