реклама
Компания Qualcomm официально представит свой новый процессор Snapdragon 835 и подробнее расскажет о его спецификациях на выставке CES 2017, которая пройдёт на этой неделе в Лас-Вегасе. И в преддверии старта CES 2017 источники слили в Сеть слайды, которые Qualcomm покажет на презентации Snapdragon 835.
реклама
Судя по слайдам, в состав Qualcomm Snapdragon 835 войдут восемь ядер Kryo 280, разбитых на два кластера. Один из кластеров с высокопроизводительными ядрами с тактовой частотой до 2.45 ГГц и кеш-памятью L2 на 2 МБ будут подключаться при выполнении сложных задач, например, при запуске высокопроизводительных игр или VR. Всё остальное время работу выполнять будет кластер с энергоэффективными ядрами с тактовой частотой до 1.9 ГГц и кеш-памятью L2 на 1 МБ.
За графическую составляющую Snapdragon 835 отвечает ускоритель Adreno 540. Он на 25% мощнее графики Adreno 530, входящей в состав Snapdragon 820. Новый графический контроллер поддерживает 4K-видеоAPI DirectX 12 и Vulkan. Также упоминается о наличии встроенного LTE-модема X16, который занимает на 45% меньше места.
Snapdragon 835 на 27% быстрее, чем Snapdragon 820. Он на 30% меньше и потребляет на 40% меньше энергии, чем предшественник. Qualcomm утверждает, что Snapdragon 835 позволит производителям создавать более тонкие смартфоны с большими батареями. Новый чип поддерживает оперативную память LPDDR4X-1866, флеш-память UFS 2.1, двойные камеры с возможностью записи 4K-видео, сканеры для биометрической аутентификации (сканеры отпечатков пальцев и радужной оболочки глаз). Вдобавок Snapdragon 835 обеспечивает поддержку технологии быстрой зарядки Quick Charge 4.0, которая заряжает аккумулятор на 20% быстрее по сравнению с Quick Charge 3.0.
Производством Qualcomm Snapdragon 835 по 10-нанометровому техпроцессу займётся южнокорейская компания Samsung. Первый смартфон на базе Snapdragon 835 выпустит Asus. Он будет представлен на CES 2017 и получит двойную основную камеру.
