Поскольку продвижением памяти типа GDDR5X занимается Micron, конкурирующая компания Samsung намеревается к 2018 году утвердить в качестве стандарта спецификации памяти типа GDDR6 – по крайней мере, таким должно быть наиболее вероятное название. Коллеги с сайта ComputerBase.de сообщают, что Samsung создаст память типа GDDR6, способную работать на частотах 14-16 ГГц QDR против 10-14 ГГц QDR у памяти типа GDDR5X.

Пока Samsung условно называет этот тип памяти "post GDDR5". Ожидается, что достигающие частоты 16 ГГц QDR микросхемы появятся только в 2020 году. В принципе, и выпускаемая сейчас GDDR5X далека от заявленных 14 ГГц QDR, так что развитие обеих разновидностей памяти будет идти эволюционным путём.