Компания Samsung объявила о начале выпуска модулей памяти DDR4 объёмом 128 Гбайт. Согласно пресс-релизу на сайте компании, это первые в отрасли модули регистровой памяти DDR4 такого объёма, в которых применяются сквозные металлизированные межслойные соединения. Данная память ориентирована, прежде всего, на применение в серверном оборудовании.
Каждый модуль содержит 36 микросхем памяти, представляющих из себя сборку из четырёх кристаллов объёмом 8 гигабит. Несложно сосчитать, что на модуль приходится 144 кристалла памяти, причём для их производства Samsung применяет 20-нм технологический процесс.
Эффективная частота представленных модулей памяти равняется 2400 МГц. В будущем Samsung обещает выпустить память, обеспечивающую более высокую скорость передачи данных — DDR4-2667 и DDR4-3200.
