реклама
Нашим постоянным читателям известна эпопея с разработкой новых контроллеров SandForce - группа инженеров сменила за последнее время сразу две «прописки»: сначала LSI была приобретена AVAGO, потом AVAGO быстренько перепродала отделы по разработке компании Seagate (хронологию злоключений можно почерпнуть по списку материалов). В вышедшем в прошлую субботу обзоре, при разборе SSD-накопителя Intel 535, мы увидели уже «вживую» логотип Seagate на микросхеме контроллера.
В общем, процесс разработки нового поколения контроллеров SandForce настолько затянулся, что даже ориентированные на SF компании вроде Kingston и ADATA начали смотреть в сторону других платформ. Но, похоже, мучительное ожидание близится к концу: на сайте Seagate выложен в публичный доступ pdf-документ, содержащий всю информацию о контроллерах SandForce.
реклама
(Источник: Seagate)
Как мы можем видеть, предполагается выпуск трёх контроллеров семейства SF35**: SF3514 с интерфейсом SATA3 (AHCI) для систем начального и среднего уровней, SF3504 с интерфейсом PCI-Express 2.0 x2 (NVMe) для систем среднего уровня, последний же SF3524 нацелен на сегмент энтузиастов и является универсальным, способным работать как с SATA3 (AHCI), так и с PCI-Express (NVMe).
(Источник: Seagate)
С большой долей вероятности, перед нами один и тот же контроллер, просто с разными задействованными блоками и работающий на разных частотах. Примечательно то, что даже самый продвинутый вариант располагает только PCI-E 2.0 x2, что смотрится несколько несуразно, учитывая существование Samsung UBX и Marvell 88SS9293. SF3500, ещё не выйдя в свет, уже уступает своим потенциальным соперникам...
Интересное новведение: у контроллеров SF35** появится микросхема DRAM, которая будет играть роль буферной памяти - предыдущие поколения SF обходились без неё.
(Источник: TweakTown. Превью, увеличение по щелчку)
На прошедшей выставке Computex 2015 разработчики демонстрировали инженерный образец накопителя в формфакторе M.2 NGFF с интерфейсом SATA3: SF-3500 (по всей видимости SF3514) в сочетании с буферной памятью DDR3 объёмом 256 Мбайт и 15-нм MLC ToggleNAND Toshiba.
Остальные характеристики полностью идентичны: всего лишь 4 канала, что, с учётом предельного объёма в 1 Тбайт даёт 16-ти кратное чередование (при использовании 128 Гбит кристаллов NAND), поддержка TLC/MLC и 3D V-NAND, изготовленной по техпроцессам 1* нм, с интерфейсами ONFi 2.0/3.0 и Toggle 1.0/2.0.
Конкретные сроки, когда именно состоится дебют, снова скромно не озвучиваются.
