Как уже сообщалось, компания Sony намерена интенсивно наращивать объёмы выпуска CMOS-датчиков изображения. Параллельно компания сворачивает выпуск датчиков типа CCD, которые при лучших характеристиках оказываются более дорогим решением, чем датчики типа CMOS. На этой неделе компания официально сообщила, что в дополнение к февральским планам увеличить к августу 2016 года объёмы выпуска датчиков CMOS с 60 тысяч 300-мм пластин до 80 тысяч пластин объёмы будут увеличены до 87 тысяч пластин в месяц к сентябрю 2016 года.

В феврале компания объявила о модернизации производства стоимостью 105 млрд. иен (примерно на сумму $875 млн). Дополнительно компания потратит 45 млрд. иен ($375 млн), 24 млрд. иен из которых получит бывший завод Toshiba в Нагасаки (Nagasaki TEC), который выкуплен компанией Sony в 2011 году, а 21 млрд. иен будет отправлено на бывший завод компании Renesas в Ямагата (Yamagata TEC), купленный компанией Sony два года назад. Как видим, компания Sony хорошо подготовилась для экспансии на рынок камер для смартфонов и планшетов.

Дополнительные средства будут потрачены на установку оборудования для выпуска так называемых многоярусные датчики с задней засветкой (back-illuminated stacked CMOS image sensors) и для выпуска светочувствительных матриц. Многоярусные датчики CMOS представляют собой двухслойную конструкцию, в которой процессор изображения и другая обвязка вынесены на второй (нижний) слой датчика. Это уменьшает площадь чипа без ухудшения его характеристик. Камеры для гаджетов можно делать ещё компактнее не теряя в площади светочувствительной части.