Комментарий компании AMD по поводу 14-нм техпроцесса GlobalFoundries

Согласно вчерашнему заявлению Samsung и GlobalFoundries, микросхемы с использованием 14-нм техпроцесса и FinFET транзисторов предприятия компаний начнут массово выпускать в конце текущего года. Под словом "массово" надо понимать, конечно же, коммерческие объёмы, пусть даже сравнительно небольшие, но точно не опытное производство. Это сразу породило надежды, что компания AMD достаточно быстро подготовит нам что-нибудь "вкусненькое". Пусть не в этом году, но уж в следующем точно.

На пресс-конференции по вопросам отчёта о работе в первом календарном квартале журналисты не упустили случая задать этот же вопрос директору глобального бизнес-подразделения компании, Лизе Су (Lisa Su). Вопрос ставился примерно так: "Обсуждала ли компания AMD с GlobalFoundries сроки перевода продуктов на FinFET, и в какую копеечку это выльется для компании?". Уточним, в данном случае придётся использовать не только 14-нм техпроцесс и "вертикальные" транзисторы, но и переходить на новые полупроводниковые пластины — так называемые полностью обеднённые подложки FD-SOI (fully-depleted silicon-on-insulator). Вопросы интересные, но мы отчётливо понимаем, что менеджер AMD на данном этапе ничего не могла сказать. Она и не сказала. Лишь выразила уверенность, что всё выгодное индустрии также выгодно и для AMD. Что касается инвестиций, то компания AMD не видит каких либо проблем на этом пути. Мы же этот вопрос немного обсудим, раз Лиза Су оказалась немногословной.

Как вы наверняка знаете, компания GlobalFoundries, а вслед за ней и AMD (вынужденно, ага) отказались от использования SOI-подложек в рамках освоения 28-нм техпроцесса. Использование SOI-подложек давало определённые преимущества. Дополнительный слой изолятора заметно снижал токи утечек и позволял транзисторам работать быстрее и с меньшими потерями. Но по мере снижения масштаба производства обработка SOI-пластин усложнялась. Компания Intel, кстати, не использовала SOI и чувствовала себя при этом неплохо. Этот груз любовно тащила на себе компания IBM и все участники Common Platform Alliance вместе с входящими в него компаниями Samsung и GlobalFoundries. С определённого момента, очевидно, здесь уместно сравнение с чемоданом без ручки, выбросить который просто жалко.

Переход на 28 нм дал определённый эффект в снижении потребления. В случае перехода на 20 нм такой эффект тоже обещает оказаться достаточно неплохим, но дальше выбор эффективного инструмента для снижения утечек остаётся под вопросом. В 2011 году консорциум SOI Industry Consortium, в который входят поставщик пластин компания Soitec и такие компании, как Globalfoundries, IBM и STMicroelectronics рекомендовал для техпроцессов с масштабом менее 20 нм использовать пластины FD-SOI. Простая смена подложек на FD-SOI обещает дать 40% выигрыш по потреблению (подтверждено для массивов памяти SRAM). Для сравнения, обычная смена поколения техпроцесса даёт 20-35 % снижения потребления. Как видим, думать есть над чем. И компания Samsung, а вслед за ней и компания GlobalFoundries, купившая у Samsung лицензию на 14-нм FinFET FD-SOI-производство, свой выбор сделали. Надо ли говорить, что это сопряжено с нарастанием трудностей? Вопрос риторический, да.

Завершая свой развёрнутый комментарий, отметим, что компания GlobalFoundries вряд ли начнёт выпуск 14-нм продукции в конце нынешнего года, как это заявлено в совместном пресс-релизе. Зато это наверняка сделает компания Samsung, ведь ей надо бороться за заказы компании Apple, которые частично утекли к компании TSMC в актуальном 20-нм поколении полупроводников.

Telegram-канал @overclockers_news - это удобный способ следить за новыми материалами на сайте. С картинками, расширенными описаниями и без рекламы.
Оценитe материал
рейтинг: 4.2 из 5
голосов: 52

Возможно вас заинтересует

Сейчас обсуждают