Micron улучшает тайминги DDR3 для работы с сетевыми процессорами Broadcom

Компания Micron Technology официальным пресс-релизом сообщила, что она совместно с компанией Broadcom смогла улучшить ряд сигнальных характеристик памяти DDR3, которые заметно поднимут скорость работы этого типа памяти. Оговоримся, речь идёт о специфической нагрузке в виде обработки сетевых пакетов применительно к 2-Кб страничной организации доступа. Объёмы сетевого трафика растут, и возникает насущная необходимость эффективнее использовать существующие каналы, технологии, и оборудование.

реклама

Разработчики внесли изменения в такие тайминги DDR3, как FAW и RDD. Каждое новое поколение памяти DDR ухудшало эти параметры, что вело к потерям "чистой" пропускной способности на 15-35 %. В новой памяти Micron стандарта DDR3-2133 тайминги FAW удалось снизить с 35 нс до 30 нс для 2-Кб страниц. Это привело к улучшению пропускной способности на 18 %. В работе оптимизированная память опробована вместе с сетевыми процессорами Broadcom BCM88030, способными обеспечить пропускную способность пакетов на уровне 200 Гбит/с. В настоящий момент, как сообщают в Micron, компания выпускает 2 и 4-Гбит микросхемы DDR3 со сниженным параметром FAW. Более подробные выкладки по этой теме вы можете найти на этой странице.

Оценитe материал
рейтинг: 4.6 из 5
голосов: 38

Комментарии Правила

Возможно вас заинтересует

Сейчас обсуждают