Год назад компания Everspin начала поставки магниторезистивной памяти типа ST-MRAM, которая обеспечивала быстродействие выше традиционной DRAM, при этом являлась энергонезависимой и потребляла меньше электроэнергии. Массовое производство соответствующих микросхем плотностью 64 мегабита стартовало только в этом году.

Компания Buffalo оказалась первым производителем, решившимся использовать микросхемы ST-MRAM в своих твердотельных накопителях серии SS6 в качестве буфера. В отличие от варианта с традиционной памятью типа DRAM, такое решение не требует использования резервного источника питания в виде батареи конденсаторов – память типа ST-MRAM не теряет данные при отключении питания. Кроме того, она потребляет меньше электроэнергии при работе и обеспечивает более низкие задержки.

Как поясняет производитель, на уровне интерфейса ST-MRAM соответствует стандарту JEDEC для памяти типа DRAM, поэтому адаптация буфера из магниторезистивной памяти является не самой сложной задачей. Buffalo будет демонстрировать накопители серии SS6 на мероприятии Embedded Technology 2013, которое будет проходить с 20 по 22 ноября в Японии.