Уже очевидно, что достичь терагерцевых скоростей работы полупроводниковых приборов можно будет лишь с переходом на иные технологии производства, чем КМОП. В лабораториях давно изучают эффект квантового туннелирования, когда электроны переходят из металла в метал в так называемых MIM-переходах (металл-изолятор-металл). Это трёхслойные конструкции, где между двумя металлами расположен изолятор. Они играют роль диодов, пропускающих ток в одну сторону и запирающие в обратную. Квантовый эффект заключается в том, что при переходе из металла в металл электроны не взаимодействуют с изолятором, что снижает тепловыделение и потребление прибора. Более совершенным обещает оказаться MIIM-диод, где между двумя металлическими слоями помещено уже два разных изолирующих слоя.

Об одной такой свежей разработке рассказали наши коллеги с сайта EE Times. Разработка подана, как революционная, но, на самом деле, работы по созданию эффективных MIIM-структур ведутся достаточно давно, а теоретическое описание MIMIM-транзисторов представлено полвека назад. В общем случае речь идёт о работе с предельно малыми токами. Например, такие диоды могут вырабатывать электричество от панелей, улавливающих инфракрасное излучение. Да, солнечные панели смогут работать в полной темноте. Но проблем пока больше, чем положительного практического результата.