Команда специалистов из Массачусетского технологического института, под руководством профессора электротехники и информатики Джесуса даль Аламо (Jesus del Alamo), представила самый маленький на сегодняшний день MOSFET-транзистор. По информации, размещённой на сайте MIT размер транзистора составляет всего 22 нанометра, и изготовлен он из арсенида галлия-индия. Разработчики настроены очень воодушевлённо; транзистор обладает прекрасными характеристиками, и если производители полупроводников возьмут данную технологию на вооружение – закон Гордона Мура будет продолжать действовать ещё долгое время, даже после того, как кремний исчерпает себя.

Международная организация International Technology Roadmap for Semiconductors уже достаточно давно определила применение арсенида галлия-индия, как одно из наиболее перспективных направлений в развитии микроэлектроники, однако некоторые специалисты сомневаются в том, что транзисторы разработки MIT имеют достаточную производственную пригодность. Во-первых, специалисты из Массачусетса использовали процесс электроннолучевой литографии, который пока что не приемлем для массового производства. Во-вторых, изготовление велось на подложке из фосфида индия, более хрупкого, чем применяемые сейчас кремниевые пластины.

Таким образом, до тех пор, пока специалисты не найдут способа производства таких транзисторов на 300-миллиметровых кремниевых пластинах, о старте производства не может идти и речи. В любом случае, можно сказать, что продемонстрированный нанотранзистор является большим шагом вперёд, хотя для качественного прорыва в индустрии потребуется сделать ещё немало таких шагов.