Интересной новостью поделился со своими посетителями сайт NewsScientist. Учёные из Технологического института Джорджии разработали способ создания запрещённых зон в графене, путём создания изгибов на поверхности подложки. Процесс начинается с протравливания при помощи пучков электронов углублений на кремниевой пластине. Затем на изменённую таким образом поверхность наносится разогретый углерод, который попадая на кремний кристаллизируется в виде полос графена.

Изучение электронных свойств полученного материала привели к важному выводу: искривлённый участок стал запрещённой зоной, имеющей свойства полупроводника. При этом, области, не имеющие искривления, оставались токопроводимыми. Таким образом, в зависимости от рельефа подложки, один лист графена может содержать проводниковые и полупроводниковые зоны. Потенциально, такой подход позволит избежать применения металлических контактов и позволит создавать полностью углеродные микросхемы.

Учёные пока что не нашли полноценного объяснения процессам, которые заставляют графен принять на себя роль полупроводника, однако, это не умаляет значимости проведённых исследований. Более того, профессор физики Эдвард Конрад (Edward Conrad) заявляет, что данное открытие позволяет всерьёз задуматься о начале массового производства быстрых транзисторов из графена.