В тени IDF 2012 едва не остался пресс-релиз южнокорейской компании SK Hynix, которая объявила о начале выпуска памяти типа DDR3L-RS, которая отличается сниженным уровнем энергопотребления в режиме ожидания. Если быть точнее, разница с обычными модулями DDR3L, работающими при напряжении 1.35 В, составляет до 70%. Ущерба для быстродействия при этом не наблюдается.

Новые микросхемы DDR3L-RS компания SK Hynix будет выпускать по 20 нм технологии. Они предлагаются как "россыпью", так и в составе готовых модулей SO-DIMM. По словам производителя, память типа DDR3L-RS оправдает своё применение как в ультрабуках, так и в планшетах.