На прошлой неделе в ходе мероприятия ISSCC 2012, компании Samsung и Hynix продемонстрировали инженерные образцы модулей памяти DDR4, сообщает сайт TechEye. Широкомасштабное внедрение нового стандарта памяти ожидается не ранее 2014 года, но массовое производство микросхем DDR4 начнётся уже в этом году, для этого компании стремятся освоить 20 нм техпроцесс.

Инженерный образец модуля памяти Samsung основан на микросхемах, созданных по 30 нм технологии, работает на эффективной частоте 2133 МГц при номинальном напряжении 1.2 вольта. Hynix использует микросхемы, произведённые по 38 нм технологии, но предлагает память с эффективной частотой 2400 МГц, работающую при напряжении 1.2 вольта.

Согласно планам JEDEC, память DDR4 в виде модулей объёмом 32 Гбайт с поддержкой ECC будет изначально внедряться в серверном сегменте, максимальная частота составит 2400 МГц. Для настольных систем частотный диапазон будет варьироваться от 2133 до 3200 МГц (верхняя граница пока не закреплена на уровне стандарта, но JEDEC впоследствии исправит ситуацию).