Пока отраслевые эксперты строят прогнозы по темпам экспансии памяти типа DDR4, компания Samsung в свежем пресс-релизе сообщает о завершении разработки образцов модулей памяти типа DDR4, оснащённых выполненными по 3х нм технологии микросхемами. Разработчики контроллеров памяти получили образцы модулей DDR4 в исполнении UDIMM объёмом по 2 Гб ещё в прошлом месяце.

Предлагаемые Samsung модули памяти работают в режиме DDR4-2133 при номинальном напряжении 1.2 В. Применение памяти этого типа в ноутбуках позволяет сократить энергопотребление на 40% по сравнению с памятью типа DDR3. В перспективе Samsung рассчитывает наладить выпуск памяти типа DDR4-3200, а в целом этот стандарт подразумевает возможность выпуска модулей памяти типа DDR4-4266.

Экономичные модули DDR4 способны работать при напряжении 1.05 В. Samsung собирается активно работать с рядом производителей серверного оборудования для утверждения комитетом JEDEC стандарта DDR4 во второй половине этого года.