Elpida переводит 4 Гб модули памяти на 30 нм техпроцесс

Переводя производство микросхем памяти на более совершенные технологические нормы, производители добиваются не только снижения энергопотребления и себестоимости, но и увеличения ёмкости одного модуля памяти. Компания Elpida вчера отчиталась о начале поставок образцов модулей памяти типа DDR3-1866 объёмом 4 Гб в исполнении SO-DIMM, построенных на базе выпущенных по 30 нм технологии микросхем.

По сравнению с 40 нм микросхемами удалось снизить уровень энергопотребления под нагрузкой на 20%, а уровень энергопотребления в режиме ожидания - на 30%. Номинальное напряжение модулей памяти равно 1.5 В. Переход на 30 нм техпроцесс, по словам представителей Elpida, позволит сократить затраты на изготовление памяти. Массовое производство модулей памяти типа SO-DIMM объёмом 4 Гб, оснащаемых 30 нм микросхемами, начнётся в первом квартале 2011 года. Более экономичные модули DDR3 будут востребованы в мобильных устройствах и планшетных компьютерах.