Elpida переводит память типа DDR3 на 30 нм техпроцесс

Производители памяти стараются своевременно переводить продукцию на более прогрессивные литографические техпроцессы, чтобы снизить энергопотребление и себестоимость изготовления. Японская компания Elpida вчера сообщила о завершении подготовки к производству двухгигабитных микросхем памяти типа DDR3 по 30 нм технологии.

По сравнению с выпускаемой по 40 нм техпроцессу памяти, новое поколение микросхем занимает на кремниевой пластине на 45% меньше места. Кроме того, она потребляет на 15% меньше электроэнергии под нагрузкой, и на 10% меньше в режиме ожидания. Микросхемы со стандартным напряжением работают в режиме DDR3-1866, микросхемы с пониженным до 1.35 В напряжением работают в режиме DDR3-1600. Использование этой памяти Elpida планирует начать в мобильном сегменте. Поставки образцов 30 нм памяти начнутся в декабре этого года, тогда же стартует массовое производство.