Как мы могли убедиться, в конце этого года компания Intel выпустит твёрдотельные накопители объёмом 600 Гб, тем самым переплюнув конкурентов, которые уже предлагают накопители объёмом 512 Гб. Второй крупнейший производитель полупроводниковых микросхем, компания Samsung, вчера объявила о готовности начать в следующем месяце поставки твёрдотельного накопителя объёмом 512 Гб, использующего память так называемого типа toggle-mode DDR NAND.

Твёрдотельная память этого типа обладает синхронным интерфейсом, позволяющим передавать информацию по обоим фронтам сигнала, что существенно повышает скорость передачи. Например, для представленного Samsung накопителя объёмом 512 Гб заявлена скорость передачи информации 250 Мбайт/с на операциях чтения и 220 Мбайт/с на операциях записи. Для продукта на контроллере Samsung весьма неплохие показатели, чем компания открыто гордится. Время произвольного доступа к информации тоже существенно сократилось.

Накопитель собран из выпускаемых по технологии класса 30 нм микросхем памяти плотностью 32 гигабита. Он потребляет столько же электроэнергии, как и более медленный и менее вместительный накопитель объёмом 256 Гб, основанный на 40 нм микросхемах памяти. Энергосберегающие алгоритмы работы контроллера позволяют дополнительно увеличить время работы ноутбука от аккумулятора на час и более. Накопитель оснащается интерфейсом SATA-300 и поддерживает 256-разрядное шифрование по алгоритму AES, а также функцию TRIM.