Во вторник компания Samsung сообщила о получении 2-гигабитными микросхемами DDR-3 сертификата одобрения Intel, позволяющего рекомендовать эти микросхемы для создания модулей памяти, работающих в системе на базе процессоров Core i7. Если быть точнее, официальное одобрение Intel получили модули памяти типа DDR3-1066.

Прошу заметить, что эти микросхемы памяти Samsung могут работать при напряжениях 1.35-1.5 В, для процессоров Core i7 эта возможность имеет большое значение. По данным исследований IDC, в следующем году память типа DDR-3 может составлять до 29% всей продаваемой в мире памяти, а к 2011 году занять до 72% рынка. Кроме того, если в 2009 году на долю двухгигабитных микросхем будет приходиться всего 3%, то к 2011 году эта доля увеличится до 33%.