Как сообщают коллеги с сайта VR-Zone, на конференции ISSCC 2007, которая будет проходить в середине февраля, компания Samsung обнародует характеристики 0.08 мкм (80 нм) чипов памяти типа GDDR-4 плотностью 512 Мбит, способных работать на частоте 4.0 ГГц DDR. В настоящее время самая быстрая серийная память GDDR-4 работает на частоте 2.8 ГГц DDR. Устанавливаемая на одну из модификаций видеокарт на базе чипа R600 память GDDR-4 может работать на частоте 2.2 ГГц DDR.
Чтобы успешно покорить частоту 4.0 ГГц DDR, новые микросхемы Samsung будут использовать ряд инноваций, направленных на экономию электроэнергии и снижение помех. Появление более быстрых чипов GDDR-4 позволит снизить цены на более медленные микросхемы памяти, что будет способствовать их скорейшему продвижению на рынок.