Как мы могли убедиться, видеокарты на базе чипа R520 используют память GDDR-3 в новом конструктивном исполнении, которая имеет время выборки от 1.26 нс до 1.4 нс и работает при напряжении от 1.8 В до 2.0 В. Разгонный потенциал такой памяти весьма впечатляющий: охлаждение сухим льдом при номинальном напряжении позволяет 1.26 нс чипам разгоняться до 1880 МГц DDR, а штатная система охлаждения допускает разгон памяти до 1790 МГц DDR. Проблема заключается лишь в том, что видеокарты серии Radeon X1800 используют новый механизм формирования частот, и доступ к их повышению ATI не торопится предоставлять разработчикам оверклокерских утилит. Об этом мы поговорим в другой раз, а сейчас обрадуем сторонников продукции nVidia...

Как сообщают коллеги с сайта HKE PC , в списке партнёров Samsung, заказывающих для себя память со временем выборки 1.26 нс, была замечена и компания nVidia. Это даёт основания полагать, что в ближайшее время злейший враг ATI выпустит видеокарту с такой памятью, которая должна будет противостоять новинкам семейства Radeon X1000. В качестве наиболее вероятного кандидата упоминается 512 Мб версия GeForce 7800 GTX.

Коллеги даже приводят фотографию, на которой чип памяти GDDR-3 производства Samsung со временем выборки 1.26 нс запечатлён в окружении зелёного текстолита, традиционно применяемого при производстве эталонных видеокарт nVidia. Конечно, это может быть лишь плодом творчества в программе Photoshop, однако все шансы увидеть подобные видеокарты в реальной жизни у нас есть.

Для установки более быстрой памяти дизайн GeForce 7800 GTX придётся слегка модифицировать. Готовящиеся к выходу версии драйверов ForceWare уже содержат упоминания о некоей новой версии видеокарт на базе ядра G70. Возможно, речь идёт как раз о видеокарте GeForce 7800 GTX с 512 Мб памяти типа GDDR-3 со временем выборки 1.26 нс.