Компания Infineon вчера выступила с заявлением о намерениях начать массовое производство чипов памяти GDDR-3 плотностью 512 Мбит. Такие чипы позволят набрать объём в 512 Мб из восьми микросхем, в то время как сейчас для этого используются шестнадцать микросхем плотностью 256 Мбит. Переход на 512-мегабитную память позволит упростить дизайн печатной платы, улучшить условия охлаждения, и, в отдалённой перспективе - снизить себестоимость подобных видеокарт.
Разумеется, появление такой памяти открывает возможность выпуска видеокарт с 1 Гб памяти, но пока никто из производителей не видит в этом смысла. Характерно, что выпущенные Infineon микросхемы имеют время выборки 1.25 нс, то есть позволяют работать на номинальной частоте 1600 МГц DDR. Новые видеокарты этого модельного сезона наверняка воспользуются этим преимуществом.
Первые образцы чипов GDDR-3 на 512 Мбит производства Infineon появились в конце февраля, массовое производство будет развёрнуто во второй половине этого года. Компания Samsung анонсировала подобную память в декабре 2004 года, производство должно было начаться в первом квартале этого года.
Сейчас обсуждают