ZB-DDR: новая технология от OCZ Technology

Нельзя сказать, чтобы каждое ноу-хау компании OCZ Technology находило широкое применение в изделиях конкурентов, но собственную продукцию фирма стремится довести до совершенства. Добившись устойчивого разгона от модулей памяти, компания начинает перерабатывать дизайн PCB, использует специальные компоненты, в качестве вспомогательных устройств предлагая различные стабилизаторы. Такими потенциально полезными мелочами можно забить весь системный блок, и не факт, что эффект будет пропорционален затраченным средствам :).

Недавно американская компания анонсировала новую технологию, получившую название ZB-DDR, что расшифровывается как Zero-Delay Buffer DDR. Свое применение она найдет при производстве небуферизованных модулей памяти. Точнее говоря, небуферизованными они могли считаться раньше, а теперь каждая планка будет оснащаться специальными буферами низкой латентности производства компании Inphi Corporation.

Эти буферы будут генерировать достаточно чистый сигнал, что позволит получить стабильность серверной памяти при использовании обычных небуферизованных модулей. Такие модули будут меньше подвержены вилянию внешних помех, и при этом останутся совместимыми со всеми имеющимися материнскими платами. Целостность передаваемых данных тоже повысится, и уровень генерируемых ошибок заметно снизится.

Объяснение несколько туманное, но оптимизм внушает :). Не секрет, что современные оверклокерские модули памяти обычно ориентированы либо на низкие задержки и низкие частоты, либо на высокие частоты и увеличенные задержки. Лишь в редких случаях удается объединить низкие задержки и хороший частотный потенциал в характеристиках одного модуля. Подобную память можно считать универсальной.

Будем надеяться, что нововведение OCZ поможет добиться повышения стабильности памяти при работе на высоких частотах. Пока DDR-II и FB-DIMM кажутся достаточно отдаленной перспективой, производители памяти не упускают возможности совершенствовать имеющиеся модули класса DDR-I.