На прошлой неделе южнокорейское издание The Elec сообщило, что компания Samsung Electronics собирается в рамках 2-нм техпроцесса увеличить количество обрабатываемых с помощью EUV-сканеров слоёв чипов с нынешних 20 примерно до 27 штук. Та же TSMC, считающаяся одним из лидеров в сфере внедрения EUV-литографии, при производстве чипов по технологии N3 обрабатывает соответствующим образом 25 слоёв.
В 2027 году Samsung рассчитывает наладить выпуск чипов по 1,4-нм технологии, увеличив количество EUV-слоёв более чем до 30 штук. Подобные планы повысят потребность компании в соответствующих литографических сканерах, которые она закупает у нидерландской компании ASML. Последняя до конца следующего года рассчитывает отгрузить всем заинтересованным клиентам от 65 до 70 сканеров для работы с EUV. Помимо контрактного производства чипов, Samsung использует EUV и при выпуске микросхем оперативной памяти. В частности, микросхемы DRAM шестого поколения с использованием техпроцесса 10-нм класса имеют 7 слоёв, обрабатываемых с применением EUV-оборудования. Конкурирующая SK hynix использует только пять.
