Тайваньское издание TechNews сообщает, что американская компания Micron Technology последовательно придерживается своей концепции разумного внедрения EUV-литографии при производстве микросхем памяти. Лишь в этом году она внедрит данный тип оборудования при пробном выпуске микросхем DRAM по технологии 10-нм класса, а в массовом производстве он начнёт применяться только в 2025 году.
Для сравнения, Samsung этот путь начала преодолевать ещё в 2020 году и за соответствующий период успела выпустить миллион модулей памяти типа DDR4, оснащённых кристаллами, изготовленными с помощью 10-нм технологии в комбинации с EUV-литографией. Компания SK hynix аналогичную продукцию начала выпускать в 2021 году. Micron при этом продолжала утверждать, что внедрение EUV-литографии на соответствующем этапе развития технологий производства микросхем памяти не имеет большого экономического смысла. Она изначально планировала внедрить эти технологии не ранее 2025 года. Пробной площадкой для таких экспериментов станет японское предприятие компании, доставшееся от Elpida.
