В непростое для отрасли по выпуску микросхем памяти время SK hynix сочла нужным заявить о наличии у компании образцов 321-слойной памяти типа 3D NAND, серийный выпуск которой она рассчитывает начать не ранее первой половины 2025 года. Как считается, SK hynix первой в мире подтвердила прогресс в разработке микросхем твердотельной памяти с количеством слоёв более 300 штук.

Сейчас компания серийно выпускает память с 238 слоями, но переход к микросхемам с 321-слойной компоновкой сулит увеличение удельной ёмкости на единицу площади кремниевой пластины до 59%. Попутно было объявлено о начале разработки решений с поддержкой PCIe Gen 6 и UFS 5.0, которые позволят раскрыть потенциал производительности накопителей новых поколений.