Придворные аналитики DigiTimes уже отмечали, что Samsung Electronics вряд ли освоит массовый выпуск 3-нм изделий ранее 2023 года, а сегодня это тайваньское издание вновь возвращается к теме, упоминая про технические сложности, возникшие на пути южнокорейского гиганта.

Высокие токи утечки стали только одной из нескольких проблем, мешающим Samsung своевременно и с заданными техническими параметрами освоить 3-нм технологию производства полупроводниковых компонентов. В результате, как отмечает первоисточник, 3-нм изделия Samsung могут оказаться менее конкурентоспособными по сравнению с продукцией TSMC или Intel. Возможно, Samsung в этом случае станет жертвой собственных амбиций, ведь она первой в отрасли намеревалась перейти на использование структуры транзисторов с окружающим затвором (GAA), тогда как TSMC при освоении 3-нм технологии предпочла сделать ставку на хорошо знакомую компоновку FinFET.