Издание DigiTimes сообщило, что компания TSMC приступила к монтажу технологического оборудования на строящемся предприятии Fab 18b на юге Тайваня. Здесь во второй половине следующего года будет налажен массовый выпуск 3-нм продукции.

Освоить 3-нм нормы без существенной задержки относительно 5-нм техпроцесса компании TSMC позволит приверженность структуре транзисторов FinFET, не увеличивающая затраты времени на подготовку к переходу на эту технологию. По информации производителя, его 3-нм технология позволит на 70% увеличить плотность размещения транзисторов, а также либо на 15% увеличить скорость переключения транзисторов, либо на 30% снизить уровень энергопотребления. К концу текущего года многие из клиентов TSMC уже будут располагать готовыми цифровыми проектами 3-нм изделий собственной разработки. Принято считать, что среди них может оказаться и компания Intel.