Если TSMC придерживается стабильных обещаний по поводу сроков перехода на 3-нм техпроцесс, то про её корейского конкурента этого сказать нельзя. Пару лет назад представители Samsung Electronics были убеждены, что опередят TSMC по времени внедрения 3-нм техпроцесса, освоив его к концу 2021 года одновременно с переходом на использование структуры транзисторов с окружающим затвором (GAA), то теперь оптимизм DigiTimes разделяют не все источники.

Тайваньское издание сообщило о прогрессе Synopsys и Samsung Foundry в адаптации программного инструментария к 3-нм технологии производства со структурой транзисторов GAA. Напомним, что TSMC в рамках своего 3-нм техпроцесса сохранит приверженность хорошо изученной структуре транзисторов FinFET, и только в рамках 2-нм технологии решится на смену структуры транзисторов.

При этом представители Qualcomm, которая обречена стать одним из клиентов Samsung на контрактном направлении в рамках 3-нм технологии, вообще не уверены в появлении первых серийных продуктов с GAA-транзисторами ранее 2023-2024 годов. Соответственно, и 3-нм техпроцесс Samsung вряд ли освоит ранее этого срока.