Некоторое время назад тайваньский сайт DigiTimes с упорством доказывал, что TSMC не успевает с освоением 3-нм технологии согласно намеченному ранее графику из-за проблем, порождённых пандемией. Компании пришлось несколько раз заявить, что она по-прежнему собирается освоить массовое производство 3-нм продуктов в 2022 году, прежде чем замолк этот рупор ложных опасений.

Теперь первоисточник берётся за обсуждение 2-нм техпроцесса, который TSMC собирается в массовом порядке перенести на конвейер в 2024 году. По информации DigiTimes, освоение 2-нм технологии идёт с опережением графика. Складывается впечатление, что тайваньские СМИ просто испытывают TSMC на устойчивость, заявляя об отклонениях в ту или иную сторону.

Важно понимать, что при переходе на 2 нм тайваньский производитель откажется от традиционной структуры транзисторов FinFET, взяв на вооружение транзисторы с кольцевым затвором (Gate All Around). Аналогичную компоновку собирается использовать и компания Samsung Electronics, причём уже на этапе освоения 3-нм технологии.