Инженеры Samsung, занимающиеся исследовательской работой, примкнут к работающим в специальном центре в штате Нью-Йорк коллегам из IBM. Они будут разрабатывать новые материалы и структуры транзисторов, межсоединения и упаковки для микросхем, выпускаемых по прогрессивным литографическим технологиям. Растущий спрос на мобильные устройства, облачные вычисления и экономичные решения диктует производителям необходимость объединять усилия в технологических разработках.
В рамках соглашения IBM и Samsung также возобновят совместную работу над технологическими процессами класса 20 нм и более тонкими. Образцы изделий, выполненных по 20 нм нормам, будут продемонстрированы 18 января на конференции Common Platform Technology.