Как сообщает сайт TG Daily, учёным из знаменитого Массачусетского Технологического Института удалось продлить жизненный цикл используемой с середины девяностых годов литографической технологии, опирающейся на глубокий ультрафиолет с длиной волны 193 нм. Применение интерференционной литографии позволило разработчикам создать на существующем оборудовании элементы с линейным размером, соответствующим 25 нм технологии. До начала применения этого метода в серийных масштабах предстоит решить некоторые проблемы с используемыми материалами, но эта задача представляется авторам посильной.
Интерференционная литография, однако, имеет свои ограничения. С её помощью, например, нельзя создавать микросхемы с соседствующими блоками разной формы. Тем не менее, для производства микросхем памяти, элементов солнечных батарей и некоторых других устройств данный метод вполне пригоден. По оценкам IBM и Intel, переход на EUV-технологию намечен на 2013 год, когда микросхемы будут выпускаться по 16 нм нормам.