Напомнив о своём былом прорыве 2016 года, выразившемся в начале выпуска микросхем памяти типа HBM первого поколения, южнокорейская компания Samsung Electronics заявила на этой неделе о своей готовности представить в 2025 году память типа HBM4. По некоторым данным, она получит удвоенную пропускную способность интерфейса, но сама Samsung о характеристиках микросхем нового поколения умалчивает.
Зато корейский гигант поясняет, что при выпуске микросхем HBM4 будут применяться новые изоляционные материалы, а также продвинутый метод формирования медных межсоединений. Samsung не скрывает своих планов по развитию услуг в сфере тестирования и упаковки чипов разного назначения, соответствующее подразделение было сформировано в текущем году. В перспективе оно будет по заказу сторонних клиентов заниматься 2.5D и 3D-интеграцией разнородных полупроводниковых компонентов.