Источник изображения: Fudan University
Исследователи из Шанхайского университета Fudan совершили прорыв в области хранения данных, разработав флеш-память нового поколения с рекордной скоростью записи. Чип, получивший название PoX (Phase-change Oxide) способен записывать информацию всего за 400 пикосекунд, что в тысячи раз быстрее существующих аналогов, сообщает Tom's Hardware.
Новая технология преодолевает ключевое ограничение современных систем хранения данных. Традиционная оперативная память DRAM и SRAM работает быстро (1-10 наносекунд), но теряет данные при отключении питания. Обычная флеш-память в SSD и USB-накопителях сохраняет информацию без питания, но работает значительно медленнее. PoX же сочетает преимущества обоих типов — энергонезависимость и беспрецедентную скорость.
Секрет скорости PoX кроется в использовании двумерного графена Dirac вместо традиционного кремния. Ученые модифицировали структуру памяти, добившись эффекта 2D суперинжекции, то есть практически неограниченного потока зарядов в запоминающий слой, что позволило обойти фундаментальные ограничения обычной памяти.
Уже завершена первая фаза тестирования чипа, подтвердившая его работоспособность. Следующий шаг будет заключаться в интеграции в смартфоны и компьютеры. По мнению ученых, внедрение этой технологии может поднять потребительскую электронику на совершенно новый уровень, устранив проблемы перегрева и задержек при работе с локальными ИИ-моделями на устройствах. Исследователи активно сотрудничают с производственными партнерами для скорейшего вывода разработки на рынок.
