В сети появилась информация о производительности чипа Kirin 9010, который, по словам представителей Huawei, на 30 % хуже, чем Snapdragon 8+ Gen 1, при том же энергопотреблении.
Тесты чипа Kirin 9010 попали в сеть: пользователь платформы X под ником negativeonehero поделился результатами бенчмарка AndSPECmod. Оказалось, что одно из производительных ядер Kirin 9010 потребляет то же количество энергии, что и ядро Cortex-X2 на борту Snapdragon 8+ Gen 1. Проблема в том, что оно при этом гораздо медленнее. Считается, что Kirin 9010 предлагает производительность примерно на 30 % хуже, чем вышеупомянутый Snapdragon. И напомним, что модель 8+ Gen 1 вышла в 2022 году.
Автор также сравнил чип Kirin 9010 с ядром Cortex-A77, установленным в Snapdragon 870. Как он сообщает, производительность одинакова, за исключением того, что чип Huawei потребляет на 50 % больше энергии. Это еще один пример того, что Huawei отстает от конкурентов, когда речь заходит о чипах для смартфонов.
Низкое соотношение производительности и энергопотребления, скорее всего, связано с необходимостью использовать техпроцесс местного завода SMIC, который работал над производством Kirin 9010. Отсутствие доступа к передовым литографическим процессам TSMC как раз и приводит к тому, что чипы Kirin имеют худшее соотношение производительности и энергопотребления по сравнению с конкурентами.
К сожалению, неизвестно, какой техпроцесс используется в Kirin 9010, но говорят, что Huawei, возможно, снова выбрала 7 нм от SMIC. Если это действительно так, то мы получим ответ на вопрос, почему Kirin 9010 обеспечивает значительно худшую производительность, чем Snapdragon 8+ Gen 1, при том же энергопотреблении. Чип Qualcom, в конце концов, основан на 4 нм литографии от TSMC.
Тем не менее, сценарий, в котором Huawei отказывается от собственных чипов только потому, что иностранные конкуренты могут использовать современную технологию TSMC, довольно сомнителен. Ожидается, что позднее в этом году Huawei представит чип Kirin, изготовленный по 5 нм литографическому процессу. Таким образом, он все еще будет отличаться от чипов, изготовленных по 4 нм или даже 3 нм, но различия должны уменьшиться.
