SK hynix объявила о начале массового производства 238-слойной 4D NAND флэш памяти и проведении проверок совместимости с продукцией ведущих мировых производителей смартфонов. После завершения всех стадий проверки компания начнёт поставки памяти для смартфонов и расширение области её применения, в частности, для производства серверных твердотельных накопителей PCIe Gen 5.
По сравнению со 176-слойной NAND флэш памятью прошлого поколения, новая разработка позволит SK hynix повысить ценовую конкурентоспособность за счёт повышения эффективности производства на 34%. Что касается скоростных характеристик, скорость чипов достигла 2,4 Гбит/с, прирост скорости чтения и записи ожидается на уровне 20%.
Кроме того, специалисты Tom’s Hardware отмечают, что новая память компактнее, на 21% потребляет меньше энергии при операциях чтения и станет основой высокоскоростных твердотельных накопителей M.2 со скоростями последовательного чтения и записи 12 ГБ/с и более.
- Источники
- SK hynix
- Tom's Hardware
